Карпов Сергей Юрьевич

Опыт работы:
1979-1991 – от стажера исследователя до научного сотрудника лаборатории физики гетероструктур в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
1991-1992 – учëный секретарь отделения твëрдотельной электроники в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
1992-1998 – руководитель теоретической группы в Центре перспективных разработок и технологий
с 1998 по настоящее время – ведущий специалист в ООО «Софт-Импакт»

Основные научные достижения:
- разработка комплекса моделей молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксии полупроводниковых материалов, включая кремний, твëрдые растворы SiGe, SiC, традиционные соединения А3B5 , нитриды III группы
- разработка комплекса моделей роста объëмных кристаллов SiC, AlN и GaN сублимационным методом и с помощью газофазной эпитаксии
- разработка комплекса моделей для анализа работы полупроводниковых приборов на основе нитридов III группы – светодиодов, лазерных диодов и транзисторов с высокой электронной подвижностью
- предсказание и экспериментальные наблюдения метастабильных состояний расплавов полупроводниковых соединений А3B5, образующихся при воздействии на полупроводники мощных лазерных импульсов
- разработка моделей дифракции света на периодически гофрированной поверхности раздела диэлектрических сред

Визиты.
Неоднократные визиты с целью совместных научных исследований в Университет Эрланген-Нюренберг (1994-1996)

Публикации
Соавтор/автор более 250 регулярных публикаций и обзоров в рецензируемых международных и отечественных научных журналах, а также глав в книгах:

- “Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures”, Eds. C. Jagadish and S. Pearton, Elsevier, Amsterdam (2006)
- “Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation”, Ed. J. Piprek, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinhaim (2007)
- “III-Nitride Devices and Nanoengineering”, Ed. Z. C. Feng, Imperial College Press, London (2008)

Соавтор более 15 патентов РФ и США