Жуков Алексей Евгеньевич
Доктор физ.-мат. наук, член-корреспондент РАН, родился 09.02.1968 г. в Ленинграде.
1992 — закончил с отличием факультет электронной техники (кафедра оптоэлектроники) Ленинградского электротехнического института.
1996 — защита кандидатской диссертации в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств".
2002 — защита докторской диссертации в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек".
СПбАУ РАН, проректор по высшему образованию – директор центра высшего образования, заведующий лабораторией нанофотоники.
Профессор кафедры “Физика и технология наноструктур” физико-технического факультета СПб ГПУ;
Профессор кафедры “Оптоэлектроника” факультета электроники СПбЭТУ;
Ведущий научный сотрудник лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.
- молекулярно-пучковая эпитаксия;
- полупроводниковые материалы;
- наноструктуры (квантвые ямы, квантовые точки);
- полупроводниковые приборы (включая лазерные диоды, транзисторы с высокой подвижностью электронов).
Основные научные достижения:
в области эпитаксиального синтеза полупроводниковых квантовых точек, теории и разработки лазеров на основе квантовых точек.
Награды:
- лауреат премии им. А.С. Попова Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области электро- и радиотехники, электроники и информационных технологий (2010),
- лауреат премии AIXTRON young scientist award (1999, 2005),
- лауреат премии «Выдающийся молодой ученый России» (1999, 2001),
- лауреат главной премии издательства the International Academic Publishing Company “Nauka/Interperiodica” за лучший цикл публикаций (2000),
- лауреат премии журнала IEEE Journal of Quantum Electronics за лучшую публикацию (2001),
- обладатель гранта «Фонда содействия отечественной науке» (2001, 2002, 2006, 2007),
- лауреат премии ФТИ им. А.Ф.Иоффе за лучшую работу (2001, 2002, 2003),
- лауреат премии Samsung Young Scientist Award (2003),
- обладатель гранта Президента РФ «молодые доктора наук» (2004, 2007).
Визиты.
Длительные визиты с целью совместных научных исследований в Хебейский исследовательский институт полупровдников (Shijiazhuang, Hebei, China, 1998/1999), Университет Калифорнии в Беркли (Berkeley, CA, USA, 2000), Индустриально-технологический исследовательский институт (Taiwan, ROC, 2001, 2004), NL Nanosemiconductor GmbH (Dortmund, Germany, 2005).
Наиболее значимые публикации:
Автор более 500 публикаций в научных изданиях и материалах конференций, в том числе:
- монографии А.Е.Жуков, М.В.Максимов "Современные инжекционные лазеры", СПб.: Изд-во СПб Политехнического ун-та, С-Петербург, 2009, 276 с.;
- монографии А.Е.Жуков "Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур", СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 304 с.;
- 6 обзоров,
- автор 1 патента РФ и 2 патентов США.