Савельев Артем Владимирович

Краткое резюме: 

Кандидат физ.-мат. наук, родился 16.10.1978 г. в Ленинграде.

Образование: 

2001 — закончил физико-технический факультет Санкт-Петербургского Государственного Политехнического университета
2006 — защита кандидатской диссертации в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Спектроскопия самоорганизующихся InAs/GaAs квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах".

Учёное звание: 
доцент
Учёная степень: 
к.ф.-м.н.
Должность: 

СПбАУ РАН, старший научный сотрудник лаборатории нанофотоники.
Доцент кафедры “Твердотельной электроники” физико-технического факультета СПб ГПУ
Доцент кафедры “Физика конденсированного состояния” СПбАУ РАН;

Научные интересы: 

- квантовые точки – статистика и динамика носителей заряда, оптические свойства, релаксация носителей и дефазировка;
- полупроводниковые лазеры – лазеры с квантовыми точками, характеристики спектров генерации, шумовые характеристики лазеров;
- квантовая оптика, нанофотоника – теория микрорезонаторов, лазеры с небольшим количеством квантовых точек, коллективные явления в ансамблях излучателей;

Основные научные достижения:
в области спектроскопии квантовых точек, теоретического описания динамики и статистики носителей заряда в квантовых точках, описания сверхизлучения и формирования широкого спектра лазерного излучения в наногетероструктурах.

Награды:
- лауреат (в составе коллектива) конкурса на лучшую научную работу ФТИ им. А.Ф. Иоффе (2005),
- лауреат конкурса на лучшую научную работу среди молодых ученых Всероссийской конференции по физике полупроводников (2009),
- лауреат премии Алферовского Фонда (2010).

Визиты.
Длительные визиты с целью совместных научных исследований в Университет Шеффилда (Великобритания, 2004) и Технический университет Берлина (Германия, 2006).

Наиболее значимые публикации:
Автор более 40 публикаций в научных изданиях и материалах конференций, в том числе:
1. A. V. Savelyev et al., Charging and spin-polarization effects in InAs/InGaAs/GaAs self-organized quantum dots under bipolar carrier injection in a p-i-n diode, Appl. Phys. Lett., 88, 111104 (2006).
2. A. V. Savelyev et al., Bipolar charging in quantum dots array, AIP Conf. Proc. 893, 987 (2007).
3. A. V. Savelyev et al., Generation of superradiation in quantum dot nanoheterostructures, Semicond. 42(6), 714-719 (2008).

Телефон: 
+7 (812) 448-85-94
Email: 
savelev [at] mail [dot] ioffe [dot] ru