Газофазная эпитаксия

В рамках студенты получают представление о физических и физико-химических основах процессов эпитаксиального выращивания элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений методами газофазной эпитаксии. Рассматриваются особенности основных методов газофазной эпитаксии, подробно изучается аппаратное оформление этих технологий. Обсуждаются специфические особенности эпитаксиального выращивания различных материалов. Особое внимание уделяется особенностям выращивания наногетероструктур на основе III-N соединений.

Продолжительность курса 1 семестр

Содержание курса

Раздел 1: Физико-химические основы газофазной эпитаксии (ГФЭ)

Раздел 2: Газофазная эпитаксия соединений A3B5 Хлоридная эпитаксия соединений А3В5.

Раздел 3: МОС-гидридная эпитаксия соединений A3N Особенности МОС-гидридного выращивания светодиодных и транзисторных гетерост-руктур на основе III-N соединений.

Раздел 4: Аппаратное оформление МОС-гидридной эпитаксии A3B5 и A3N

Подробное содержание курса