Продолжительность курса 2 семестра

Содержание курса

Часть 1. Туннелирование между металлическими слоями сквозь диэлектрик
Туннельная прозрачность.Зависимость прозрачности от угла падения электронов на барьер. Локализация туннелирования.
Туннельный ток и сопротивление туннельного контакта.

Часть 2. Полупроводниковый туннельный диод.
Межзонное туннелирование в электрическом поле. N-образная вольтамперная характеристика туннельного диода
Флюктуации объемного заряда и туннельного тока.

Часть 3. Межзонное туннелирование в полупроводниках и эффект Келдыша-Франца

Часть 4. Резонатор Фабри-Перо.
Коэффициент прозрачности резонатора Фабри-Перо. Условия резонанса. Влияние различия в коэффициентах прохождения зеркал на резонанс.

Часть 5. Резонатор Фабри-Перо и условие возбуждения лазера.
Оптическая бистабильность в резонаторе Фабри-Перо.
Время отклика резонатора Фабри-Перо.

Часть 6. Резонансное тунеллирование электрона в структуре с двумя барьерами.
Вольтамперная характеристика структуры. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Время срабатывания.

Часть 7. Полупроводники со сверхрешетками (СР).
Закон дисперсии, минизоны, групповая скорость. N-образная вольтамперная характеристика.

Часть 8. Локализация носителей в СР в электрическом поле
Волновая функция. Резонансное туннелирование. Резонансный ток. Усиление высокочастотного электромагнитного поля

Часть 9. Оптические свойства квантово-размерных структур
Коэффициент поглощения квантовых ям. 2-мерный экситон. Туннельно-связанные ямы.

Часть 10. Оптические свойства СР
Влияние электрического поля на оптические свойства СР. Поглощение света в СР в области межминизонного поглощения

Программа семинаров

Литература

Основная

Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников, Физика полупроводников, ФМ
Зи С., Физика полупроводниковых приборов, МИР, 1984
Шур М., Физика полупроводниковых приборов, МИР, 1992
Туннельные явления в твердых телах, под редакцией Э. Бурштейна и С. Лундквиста, МИР 1973

Дополнительная

Ашкрофт Н., Мермин Н., Физика твердого тела, МИР 1979
Сурис Р.А. Экспериментальные методы определения плотности поверхностных состояний, Материалы 7-й Зимней школы по физике полупроводников, ФТИ АН СССР, Ленинград 1975
Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктуры, Под редакцией Л.Ченга и К.Плога, 'МИР', 1989
В.Я. Демиховский и Г.А. Вугальтер, Физика квантовых низкоразмерных структур, Мщсква 'Логос', 2000
Ж. И. Алферов Физика и жизнь, Наука, С. Петербург, 2000