Курса позволяет студентам получать практических навыки создания полупроводниковых приборов для микро- и наноэлектроники с использованием современного технологического и диагностического оборудования в ходе реализации групповых мини исследовательских проектов. В ходе практических занятий в группах по 3 человека студенты знакомятся с технологическими методами и оборудованием для создания полупроводниковых приборов.

Продолжительность курса 1 семестр

Задачи, решаемые студентами в ходе обучения
• Выбор, обоснование и обсуждение с преподавателями темы исследовательских проектов.
• Разработка технологического маршрута создания полупроводникового прибора, распределение ролей в команде.
• Изготовление экспериментальных образцов полупроводниковых приборов в чистых помещениях Академического университета.
• Комплексное исследование свойств полученных микро- и наноструктур и готовых приборов.
• Подготовка устных докладов по результатам проведенных исследований, защита проектов, подготовка печатных материалов.

На данный момент были уже были проведены следующие исследовательские проекты:

«Создание полевого транзистора на GaN одиночном нитевидном нанокристалле для исследования электрических свойств GaN нанокристаллов и формирования компонентной базы наноэлектроники».

«Создание наноплазмонного концентратора для кремниевых солнечных элементов, повышающее КПД преобразователя более чем на 5%».

«Создание полевого транзистора на основе графена для изучения электрических свойств графена и формирования компонентной базы наноэлектроники и оптоэлектроники».