Асеев Павел Андреевич

Год окончания: 
2012
Кафедра: 
Физики и технологии наногетероструктур
Тема магистерской: 
«Рост слоев AlN и GaN с атомарно-гладкой и свободной от капель поверхностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией», руководитель к. ф.-м. н. В. Н. Жмерик, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Чем занимается сейчас: 

Организация: Мадридский Политехнический Университет, Институт систем оптоэлектроники и микротехнологий.
Научный руководитель: E. Calleja

Текущие научные/профессиональные интересы: 

МПЭ слоев InGaN с высоким содержанием индия на подложках кремния.
Оптоэлектронные приборы на основе InGaN с рабочей длиной волны 1.3-1.5 мкм.

Публикации: 

P. Aseev, P. E. D. S. Rodriguez, P. Kumar, V. J. Gomez, N. ul H. Alvi, J. M. Manuel, F. M. Morales, J. J. Jimenez, R. Garcia, E. Calleja, and R. Noetzel, “Uniform Low-to-High In Composition InGaN Layers Grown on Si,” Appl. Phys. Express, vol. 6, pp. 115503–1–4, 2013.
D. V. Nechaev, P. Aseev, V. N. Jmerik, P. N. Brunkov, Y. V. Kuznetsova, A. a. Sitnikova, V. V. Ratnikov, and S. V. Ivanov, “Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE,” J. Cryst. Growth, vol. 378, pp. 319–322, 2013.

Submitted by olga on Вс, 03/30/2014 - 23:27